SK하이닉스, 9500억원 투입 中 우시 D램 신공장 준공
SK하이닉스, 9500억원 투입 中 우시 D램 신공장 준공
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이석희 SK하이닉스 CEO가 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다.(사진=SK하이닉스)
이석희 SK하이닉스 CEO가 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다.(사진=SK하이닉스)

[서울파이낸스 윤은식 기자] SK하이닉스가 중국 우시 신공장을 본격 가동했다. SK하이닉스는 18일 중국 장쑤성 우시에서 메모리 반도체 확장 팹(C2F) 준공식을 열었다.

C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것으로, SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정했다.

이날 행사에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 장쑤성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사 등 약 500명이 참석했다.

SK하이닉스는 지난 2006년부터 이 지역에서 D램 생산을 해왔다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)이다.

하지만 공정 미세화로 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해지면서 SK하이닉스는 지난 2017년부터 올해 4월까지 총 9500억원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다.

이번에 준공한 공장은 건축면적 5만8000㎡(1만7500평)의 단층으로 돼있다. 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다.

SK하이닉스는 이 공장의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사와 장비입고 시기는 반도체 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.

강영수 SK하이닉스 우시팹담당 전무는 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다"며 "C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것"이라고 말했다.


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